PbSe探测器的工作波长在1.0-4.5微米。在室温的条件下，该产品具有很高的灵敏度，还有一些附件支持，如滤光片（长波滤光片和带通滤光片）、前置放大器、光纤连接器。这些器件可应用在工业的控制系统、气体分析、热传感器以及光纤测试设备中。

PbS探测器硫化铅探测器的工作波长在1.0-3.0微米。在室温的条件下，该产品具有很高的灵敏度，还有一些附件支持，如滤光片（长波滤光片和带通滤光片）、前置放大器、光纤连接器。这些器件可应用在工业的控制系统、气体分析、热传感器以及光纤测试设备。

锗探测器由于带隙较窄，与硅探测器相比，锗探测器有较高的漏电流，从可见光到1. 8μm 波长范围都有亚微秒级的响应时间和高灵敏度。一般地，使用零偏压以获得高灵敏度，得到高速度要施加大反向偏压。室温下其探测率峰值约为2 x 10 11 cmHz1 / 2 W - 1。

硅光电探测器是光电器件重要的的组成部分，是可见光和近红外波段主要的探测器。硅的探测器的工作波长在0.3-1.0微米。在室温的条件下，该产品具有很高的灵敏度，还有一些附件支持，如滤光片（长波滤光片和带通滤光片）、前置放大器、光纤连接器。这些器件可应用在工业的控制系统、气体分析、热传感器以及光纤测试设备中。

InGaAs点元探测器三元体系InAs/GaAs 的带隙涵盖从InAs 的0.35eV （3.5μm） 到GaAs 的l. 43eV（0.87μm） 的范围。通过改变InGaAs 吸收层的合成成分，可以使光电探测器的响应度在终用户所要求的波长条件下达到大值，从而提高信噪比。

产品特点$n①光谱响应范围仅限于200-400nm 或 （210-380nm），不需要额外的滤光片来屏蔽可见光或红外辐射；$n②试验证明，即使在1000W/m2强度的254nm光辐照下，仍然保持长时间的稳定性；$n③的温度稳定性（温漂系数: Tk< -0.06%/K），在150摄氏度的高温下，仍然保持长时间稳定性；$n④非常低的暗电流（fA Rang） ；$n⑤可集成航天质量标准的紫外窄带滤光