InGaAs点元探测器LD-GAP500 三元体系InAs/GaAs 的带隙涵盖从InAs 的0.35eV （3.5μm） 到GaAs 的l. 43eV（0.87μm） 的范围。通过改变InGaAs 吸收层的合成成分，可以使光电探测器的响应度在终用户所要求的波长条件下达到大值，从而提高信噪比。

InGaAs点元探测器三元体系InAs/GaAs 的带隙涵盖从InAs 的0.35eV （3.5μm） 到GaAs 的l. 43eV（0.87μm） 的范围。通过改变InGaAs 吸收层的合成成分，可以使光电探测器的响应度在终用户所要求的波长条件下达到大值，从而提高信噪比。