InGaAs点元探测器LD-GAP500 三元体系InAs/GaAs的带隙涵盖从InAs的0.35eV（3.5μm）到GaAs的l.43eV（0.87μm）的范围。通过改变InGaAs吸收层的合成成分，可以使光电探测器的响应度在最终用户所要求的波长条件下达到最大值，从而提高信噪比。

InGaAs点元探测器三元体系InAs/GaAs的带隙涵盖从InAs的0.35eV（3.5μm）到GaAs的l.43eV（0.87μm）的范围。通过改变InGaAs吸收层的合成成分，可以使光电探测器的响应度在最终用户所要求的波长条件下达到最大值，从而提高信噪比。