更新时间：2023-08-18
硅APD探测器LD-Si-010是0.4～1.1μm波长光信号的优良探测器，它具有n+p-πp+达通型结构，兼备了高灵敏度、高速响应和低噪声三大优点。内部的雪崩倍增效应可达到120倍以上。适用于激光测距、测速、测角、光电探测和光电对抗等系统。
硅APD探测器LD-Si-010是0.4～1.1μm波长光信号的优良探测器，它具有n+p-πp+达通型结构，兼备了高灵敏度、高速响应和低噪声三大优点。内部的雪崩倍增效应可达到120倍以上。适用于激光测距、测速、测角、光电探测和光电对抗等系统。
硅APD探测器LD-Si-010
光电特性
TA=23℃
项目 | 符号 | 单位 | 数值 | |||||
小 | 典型 | 大 | ||||||
1 | 光敏面 尺寸 | 直径 | Ф | mm |
| 0.8 |
| |
面积 | A | mm2 |
| 0.5 |
| |||
2 | 光谱响应范围 |
| nm | 400 |
| 1100 | ||
3 | 暗电流 | Id | nA |
|
| 100 | ||
4 | 工作电压 | Vopt | V | 275 |
| 425 | ||
5 | 工作电压温度系数 | K | V/℃ | 1.0 |
| 2.4 | ||
6 | 电压响应度 | 1064nm | RV | V/W×105 | 1.1 | 1.4 |
| |
900nm | RV | V/W×105 | 4.9 | 5.6 |
| |||
7 | 噪声等效功率 | 1064nm | NEP | pW/Hz1/2 |
| 0.11 | 0.27 | |
900nm | NEP | pW/Hz1/2 |
| 0.027 | 0.06 | |||
8 | 响应上升时间 | Tr | ns |
| 8 | 10 | ||
9 | 响应下降时间 | Tf | ns |
| 8 | 10 | ||
10 | 输出阻抗 |
| Ω |
| 25 | 50 | ||
11 | 线性电压输出范围 |
| V |
| 0.7 |
| ||
12 | 电压输出范围 |
| V |
|
| 2.0 | ||
13 | 输出端偏压 |
| V | 0.0 | -0.7 | -1.0 | ||
14 | 放大器电源电压 | Vs | V | ±5.5 | ±6.0 | ±9.0 | ||
15 | 放大器电源电流 | Is | mA |
| 5 | 8 | ||
16 | 工作环境温度 | Ta | ℃ | -40 |
| +70 | ||
17 | 大反向暗电流 | ID | μA |
|
| 100 | ||
大光 电流 | 平均值 | IP | mA |
|
| 2.5 | ||
峰值 | IP | mA |
|
| 10 | |||
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