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InGaAs APD光电探测器

InGaAs APD光电探测器

更新时间:2023-08-18

简要描述:

InGaAs APD光电探测器产品有3个系列:Deschutes FSI™, Deschutes BSI™, and Siletz™ series。Deschutes FSI™是前照式,而Deschutes BSI™和 Siletz™系列为背照式。

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InGaAs APD光电探测器产品有3个系列:Deschutes FSI™, Deschutes BSI™, and Siletz™ series。
Deschutes FSI™是前照式,而Deschutes BSI™和 Siletz™系列为背照式。FSI 和BSI 的区别主要是FSI系列产品吸收低于950nm以下波长,如果应用在950nm以上那么BSI系列APD产品提供更高的响应率。

InGaAs APD光电探测器3个APD区别:

 

 

FSI™

BSI™

Siletz™

Spectral Range

λ

Min suggested

Typical range

Max suggested

<800 nm

800-1550nm

1750nm

900nm

1064-1550nm

1700nm

950nm

1064-1550nm

1700nm

Operating Gain,

M

Min

Typical range

Max

1

5-20

20

1

5-20

20

1

5-40

50

Responsivity atM=10,(A/W)

@1550nm

@1064nm

7.2

6.8

10.1

7.3

10.1

7.3

Excess Noise

Factor,

F(M,k)

Keffective (1)

M=10

M=15

M=20

M=50

M=1000

~0.2

3.4

4.3

5.2

-

-

~0.2

3.4

4.3

5.2

-

-

~0.02

2.0

2.2

2.3

3

-

Dark Current at

 

M=1 of 75-um

APD, [nA]

0.56(2)

1.9(2)

23.4(2)

Capacitance of 75-μm APD

[fF]

450

540

350

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