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光平直入浸式光电磁

光平直入浸式光电磁

更新时间:2023-08-18

简要描述:

光平直入浸式光电磁特点:
室温下工作;无需偏置;光谱范围大(2-12µm);D*(10.6 µm)达到2*107cmHz1/2/W;响应时间≤1ns;无闪动噪声;从直流到高频工作;重量轻,耐用可靠;低成本;可根据客户要求设计。

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光平直入浸式光电磁

PEM系列经过优化使得在波长为10.6微米可以达到佳的使用状态。PEM1使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )过半球透镜(标准)或者半球透镜(可选)进行光浸入。探测器由(Hg-Cd-Zn-Te)半导体经过成分选择和掺杂面处理而获得,微型永磁铁提供非常强的磁场。PEM系列的探测器非常适合10.6微米辐射的外差探测。无闪动噪音,在整个2-12 µm光谱范围内可以同时用于CW和低频调制辐射。可以按客户定制器件的要求提供单个各种规格的元件、四象限单元、多元件阵列、特定封装和连接器。

光平直入浸式光电磁参数

特性(@ 20ºC)

单位

LD-PEM-10.6

LD-PEMI-10.6

特性波长λop

μm

10.6

10.6

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

≥3E7

≥1E7

≥1E8

≥5E7

电阻率

V/W

≥0.04

≥0.2

响应时间τ

ns

≤1

≤1

电阻

Ω

40-100

40-100

光学面积(长×宽)

或直径(圆形)

mm x mm

mm

0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2

工作温度

K

300

视场, F/#

deg

51,1.1638,1.62

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