更新时间:2023-08-18
光平直入浸式光电磁特点:室温下工作;无需偏置;光谱范围大(2-12µm);D*(10.6 µm)达到2*107cmHz1/2/W;响应时间≤1ns;无闪动噪声;从直流到高频工作;重量轻,耐用可靠;低成本;可根据客户要求设计。
光平直入浸式光电磁
PEM系列经过优化使得在波长为10.6微米可以达到佳的使用状态。PEM1使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )过半球透镜(标准)或者半球透镜(可选)进行光浸入。探测器由(Hg-Cd-Zn-Te)半导体经过成分选择和掺杂面处理而获得,微型永磁铁提供非常强的磁场。PEM系列的探测器非常适合10.6微米辐射的外差探测。无闪动噪音,在整个2-12 µm光谱范围内可以同时用于CW和低频调制辐射。可以按客户定制器件的要求提供单个各种规格的元件、四象限单元、多元件阵列、特定封装和连接器。
光平直入浸式光电磁参数
特性(@ 20ºC) | 单位 | LD-PEM-10.6 | LD-PEMI-10.6 |
特性波长λop | μm | 10.6 | 10.6 |
探测率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W | ≥3E7 ≥1E7 | ≥1E8 ≥5E7 |
电阻率 | V/W | ≥0.04 | ≥0.2 |
响应时间τ | ns | ≤1 | ≤1 |
电阻 | Ω | 40-100 | 40-100 |
光学面积(长×宽) 或直径(圆形) | mm x mm mm | 0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2 | |
工作温度 | K | 300 | |
视场, F/# | deg | 51,1.1638,1.62 |