更新时间:2023-08-18
短波线阵芯片该铟镓砷线阵探测器产品的截止波长有1.45um、1.7um、2.2um和2.6um可选,所有产品都有非常低的暗电流和*性。该产品可以在LDB/LE(ITR)或LC(IWR)模式中选择任意一种版本,LC版本用于快速扫描,并可选择四种增益模式。其中一种增益模式可提供大的满阱容量以使用于吸收光谱学方面的应用。
短波线阵芯片产品特点
①可选择波长范围:减少暗电流(1.45um)、标准(1.7um)、扩展型(2.2um)、全波段(2.6um-只有LC可选);
②线阵长度可选256、512或1024元,宽度对应1/4、1/2和1英寸(6.4、12.8、25.6mm);
③大的满阱容量、130或250Me-;
④像元宽度25或50um;
⑤像元高度250或500um用于光谱学,像元正方形用于机器视觉;
⑥密封的Kovar封装;
⑦内部集成1、2、3级温度控制;采用低功耗热电制冷器用于降低材料温度。
短波线阵芯片参数选型表
铟镓砷线阵选型表 | ||||
材料类型 | 暗电流 | 前截止波长(um)50% QE | 后截止波长(um)50% QE | 中心波长(um) |
1.45um | 1.3pA | 0.91 | 1.415 | 1.17 |
1.7um | 2.3pA | 0.91 | 1.650 | 1.36 |
2.2um | 10nA | 1.30 | 2.155 | 1.67 |
2.6um | 100nA | 1.64 | 2.410 | 1.84 |
封装选项
1)LC/LSC ROIC
特点:抗结霜、快照、IWR和ITR模式可选、多路输出、低速到快速读出、四种增益模式/满阱设置、可选带宽;
像元数 | 像元尺寸 | 大输 出频率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
256 | 50μm | 15.7K | / | / | T2 250μm | T2 250μm |
512 | 25μm | 91k | T2 500μm | T1、500μm T2、250μm T2、500μm LT、500μm | / | T2 250um
|
1024 | 25μm | 91k | T2 500μm | T1、500μm LT、500μm | T2 250μm | / |
2)LE/LSC ROIC
特点:抗结霜、快照、ITR模式、一路输出、低速到中速读出、两种增益模式/满阱设置;
像元数 | 像元尺寸 | 大输出频率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
512 | 50μm | 1.25k | / | LT、500um RT、500um | T1、250μm T2、250μm | N/A |
1024 | 25μm | 1.25k | T2 500μm | T1、500um LT、500um | T1、250μm T2、250μm | N/A |
3)LDB/LSB ROIC
特点:抗结霜、快照、ITR模式、一路输出、低速到中速读出、两种增益模式/满阱设置;
像元数 | 像元尺寸 | 大输出频率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
256 | 50μm | 5K | / | T1、500μm LT、500μm RT、500μm T2、500μm | T1、250μm T2、250μm RT、250μm T3、250μm | N/A |
256 | 25μm | 5k | / | T1、500μm RT、500μm | / | / |
512 | 25μm | 5k | T2、500μm RT、500μm | T1、500um LT、500μm T2、500μm RT、500μm | T1、250μm T2、250μm RT、250μm | N/A |
备注:①“/”为非标准产品,可定制;
②“N/A”为不可定制;
③ ITR:边积分边读出;IWR:先积分后读出。