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光侵入式倍增结构热电制冷

光侵入式倍增结构热电制冷

更新时间：2023-08-18

简要描述：

光侵入式倍增结构热电制冷特点
在长波长范围内具有良好的性能；无须LN（液氮）制冷；快速响应；无闪动噪声；使用方便；动态范围宽；小巧，耐用可靠；低成本；及时交货；可按客户要求设计。

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光侵入式倍增结构热电制冷特点

PVMI-2TE-n （n表示佳特性波长，单位是微米）系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜（可选）进行光照入。这些器件可以优化为更长波长、更大面积的高性能器件。他们的高性能和稳定性可以通过近开发的间隙（Hg，Cd，Zn）Te半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗，并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。

光侵入式倍增结构热电制冷技术参数

特性（@ 20ºC）

单位

LD-PVMI-2TE-10.6

特性波长λop

µm

10.6

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

≥1.5∙109

≥1∙109

响应度 – at λop

A·mm /W

≥0.05

响应时间τ

ns

≤3

电阻*

Ω

1000-350

光学面积（长×宽）

mm x mm

0.1×0.1；0.25×0.25；0.5×0.5；1×1；2×2；

工作温度*

K

230

视场, F#*

deg

36，1.62

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