3分钟带你认识短波焦平面探测器

　　短波焦平面探测器是用来对9-14μm的电磁波进行成像探测的探测器。根据黑体辐射理论，任何物体都会向外辐射电磁波，电磁波频谱分布与温度有关，温度越高，辐射峰值波长越短。由于常温(30℃)的物体黑体辐射电磁波的峰值波长约为10μm左右，所以对9-14μm的电磁波进行探测能够对比较适合用于常温环境。
 

　　短波焦平面探测器按探测机理可分为热探测器和光子探测器，按其工作中载流子类型可以分为多数载流子器件和少数载流子器件两大类，按照探测器是否需要致冷，分为致冷型探测器和非致冷型探测器。非致冷探测器目前主要是非晶硅和氧化钒探测器，致冷型探测器主要包括碲镉汞三元化合物、量子阱红外光探测器Ⅱ类超晶格等。
 

　　随着短波焦平面探测器材料研究的进展和短波红外焦平面探测器制备工艺的不断改进和创新，短波红外焦平面探测器将向更大面阵规模、更宽的光谱响应范围发展，将会在更多的领域得到重视和应用。
 

　　短波焦平面探测器由探测器阵列与读出电路倒装互连而成。焦平面器件技术涵盖光电子与微电子技术范畴，器件结构复杂，技术难度大，对设计、工艺、产品化等技术均有较高要求。红外成像技术的核心部分当属红外探测器技术，包括红外材料、器件等重大制造工艺技术，涉及红外探测器基础理论、总体设计、薄膜材料生长技术、材料性能表征与评价技术。